以下 3V升5V 2A大电流升压芯片详细信息 是由 发布：深圳市中广芯源科技有限公司的注册者发布者提供 一、概述： 中广芯源开发了一款利用**开关器件MOSFET及高性能IC控制器。 二、详细说明：
中广芯源开发了一款利用**开关器件MOSFET及高性能IC控制器。
GS3660应用的典型电路，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控制方案，PWM（脉冲宽度调制）的**性，提供一个**、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。该电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，宽电压供电2.2V-15V，宽工作频率50KHZ-1MHZ振荡频率，具有欠压保护功能、软启动及短路保护功能，使电路工作更稳定！
同时，该芯片可用于升降压稳压方案：⑴ 9~28V输入、输出稳定在12V
典型应用：3 V升5V 2.**；3.7V升12V 1.**；12V升19V 4A
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