未来，三菱电机将在日本市场大规模地生产采用了Coherent 200mm晶圆技术的碳化硅芯片。
当下，全球电动汽车市场正不断扩大，并成为了推动SiC功率器件指数增长的几个新兴应用之一。与基于硅的功率器件相比，SiC功率器件的能量损耗更低，可运行温度更高，开关速度也更高。凭借其高效率的优势，SiC功率器件将有望成为全球脱碳和环保转型的关键助力之一。
具体投资内容
为了满足快速增长的需求，三菱电机宣布在截至2026年3月的5年期间投资约2600亿日元，其中大约1000亿日元将用于建设一个基于200毫米技术平台的SiC功率器件新工厂，并加强相关生产设施的建设。根据谅解备忘录，Coherent将为三菱电机在新工厂生产的未来SiC功率器件开发200mm n型4H SiC衬底。
“我们很高兴能与三菱电机建立合作关系，三菱电机是SiC功率器件的先驱，也是高速列车SiC功率模块的全球市场领导者，”Coherent新风险投资和宽带隙电子技术执行副总裁Sohail Khan表示，“我们在向三菱电机供应SiC衬底方面有着长久的经验，并期待着扩大与他们的合作，以扩展他们新的200毫米SiC平台。”
“多年来，Coherent一直是三菱电机高质量150毫米SiC晶圆衬底的可靠供应商，”三菱电机半导体与器件集团总裁兼执行官Masayoshi Takemi表示，“我们很高兴与Coherent建立密切的合作伙伴关系，将各自的SiC制造平台扩展到200毫米。”
