富士IGBT功率模块在变频器中的应用：由 于IGBT模块MOSFET结构,IGBT网格通过一层氧化膜和发射器实现电气隔离。由于氧化膜非常薄,其击穿电压一般20 ~ 30 v 。因此引起的静态电网故障的常见原因之一IGBT的失败。因此使用应注意以下几点：使用模块时，不要触摸驱动器终端部分，当触摸模块终端静电对人体或 衣服大电阻接地放电后,再次触摸;与导电材料模块驱动程序终端连接,连接没有连接之前请不要插入模块;地板的条件下尽可能好的接地操作。有时，尽管在应用 程序以确保门驱动电压不超过电网大额定电压，但网格之间的寄生电感和电容耦合连接网格和收藏家,也会产生氧化层损坏的振荡电压。为此，通常由双绞线传输 信号，以减少寄生电感。小电阻串联在电网连接也可以抑制振荡电压。此外，在开放的栅极,如果电极间的电压和收集器和发射,电极电位的变化,由于泄漏电流流 经收集器,更高的栅极电压,电流流经收集器。此时，如果收藏家和发射电极的高电压，它可以使IGBT发烧时损坏。IGBT的使用场合,当栅极电路正常或栅 极电路损坏(网格在开路状态),如果在主电路和电压,IGBT将受损,为了防止此类故障,应该是门和发射极之间串接一个10 kΩ阻力。安装或更换IGBT模块的时候,我们应该高度重视的接触状态IGBT模块与散热器和收紧。为了减少接触热阻,散热器和IGBT模块之间的热 导电硅胶。一般散热器安装在底部的冷却风扇,当散热器冷却的冷却风扇损坏坏热将导致IGBT模块,和失败。定期检查冷却风扇,通常在附近的散热器IGBT 模块配备温度传感器,当温度太高会提醒或停止富士IGBT功率模块的工作。
富士IGBT模块一系列型号现货销售，库存充足：
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-54
2MBI00U4A-120-50
2MBI1400VXB-170E-54
2MBI50U4H-120-50
2MBI650VXA-170E-54
2MBI900VXA-120E-54
2MBI300VAN-120-53
2MBI450VAN-120-53
2MBI600VAN-120-53
2SK2767-01-S25PP
2SK3531-01-S25PP
6MBI80VB-120-50
6MBI80VB-120-55
6MBI50U4A-120-50
6MBI50VA-120-50
6MB75U4A-120-50
6MBI75VA-120-50
